三星測試10納米Exynos 8895芯片 時鐘頻率高達4GHz
據Android Authority網站報道，有媒體刊文稱三星在測試新款Exynos 8895芯片，它集成有4個時鐘頻率達4GHz的高性能內核。傳言稱，Exynos 8895芯片(名字并未經過證實)還集成有4個時鐘頻率為2.7GHz、性能較低的Cortex-A53內核。Exynos 8895將用于明年的Galaxy S8，采用10納米工藝制造。
值得指出的是，在市場上公開銷售的Exynos 8895時鐘頻率將遠低于4GHz。降低時鐘頻率的原因是避免過熱，Exynos 8890在測試時時鐘頻率高達3GHz，但被應用在Galaxy S7 Edge和Galaxy Note 7中時被下調至2.3GHz。Android Authority預計Exynos 8895性能將比三星當前14納米工藝芯片高出三分之一。
Android Authority表示，據悉，Exynos 8895時鐘頻率為4GHz時的能耗與3.6GHz的驍龍830(也采用了10納米工藝)相當。鑒于高通高時鐘頻率芯片遇到的發熱問題，三星新款芯片在發熱方面的表現我們尚需拭目以待。
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